Characteristics of GaN films by RF-Molecular Beam Eppitaxy according to the growth process
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 1997 pp.132-133
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Characteristics of GaN cpitaxial layer grown on 6H-SiC(0001) by RF-Molecular Beam Eppitaxy
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 1997 p.134
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MBE로 성장된 $In_xGa_{1-x}N$의 Indium mole fraction에 따른 특성 조사
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 1996 pp.38-39
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Er과 Ti dopping에 따른 InGaAs/Inpp의 반절연성연구
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 1995 pp.55-56
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