게이트 전극 형성 적용을 위한 $TiN/HfO_{2}/Si$ 구조의 계면 형성과 전기적 특성에 관한 연구
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 2002 p.95
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
MOS 소자를 위한 $HfO_3$게이트 절연체와 $WSi_2$게이트의 집적화 연구
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2001 pp.832-835
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
Rf-magnetron 스퍼터링 법을 이용한 MOS 게이트용 $HfO_{2}/Hf-silicate$ 박막의 증착 및 특성 분석
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회 학술대회논문집 2001 p.150
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
MOS 소자의 대체 게이트 산화막으로써 $HfO_{2}/HfSi_{x}O_{y}$ 의 구조 및 전기적 특성 분석
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2001 pp.45-49
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
0개의 논문이 장바구니에 담겼습니다.
- 구매 불가 논문
-