비휘발성 메모리를 위한 $SiO_2/Si_3N_4$ 적층 구조를 갖는 터널링 절연막의 열처리 효과
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2008 pp.128-129
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
$Si_3N_4$ trap layer의 두께에 따른 charge trap 특성
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2008 pp.124-125
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Tunnel Barrier Engineering (TBE)를 통한 $HfO_2$ Charge Trap Flash (CTF) Memory의 Erasing 특성 향상
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2008 pp.7-8
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터널링 $SiO_2/Si_3N_4$ 절연막의 적층구조에 따른 비휘발성 메모리 소자의 특성 고찰
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2008 pp.189-190
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비휘발성 메모리 적용을 위한 $SiO_2/Si_3N_4/SiO_2$ 다층 유전막과 $HfO_2$ 전하저장층 구조에서의 열처리 효과
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2008 pp.24-25
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$SiO_2/HfO_2$와 $Al_2O_3/HfO_2$를 이용한 Engineered Tunnel Barrier의 전기적 특성
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2008 pp.127-128
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Tunnel Barrier Engineering for Non-Volatile Memory
[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.8 No.1 2008 pp.32-39
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High-k를 이용한 터널베리어 메모리의 절연막 특성 평가
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2008 pp.262-263
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
플레티늄-실리사이드를 이용한 쇼트키 장벽 다결정 박막 트랜지스터트랜지스터
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2008 pp.80-81
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Ultrathin-Body SOI MOSFETs에서 면방향에 따른 정공의 이동도 증가
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2007 pp.7-8
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Effect of Post-Metallization Anneal (PMA) on Interface Trap Density of Si-$SiO_2$
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2007 pp.157-158
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
Amorphous-$Si_xGe_y$을 seed layer로 이용한 Poly-Si TFT의 특성
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2007 pp.125-126
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레이저 결정화 방법을 적용한 3차원 적층 CMOS 인버터의 전기적 특성 개선
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2007 pp.118-119
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Excimer laser annealing에 의한 결정화 및 High-k Gate-dielectric을 사용한 poly-Si TFT의 특성
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2007 p.19
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단일채널 Strained Si/SiGe 구조와 이중채널 Strained Si/SiGe 구조의 이동도 특성 비교
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2007 pp.113-114
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W Polymetal Gate Technology for Giga Bit DRAM
[Kisti 연계] 대한전자공학회 Journal of semiconductor technology and science Vol.1 No.1 2001 pp.31-39
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