재산화 질화산화 게이트 유전막을 갖는 전하트랩형 비휘발성 기억소자의 트랩특성
[Kisti 연계] 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 Vol.12 No.6 2002 pp.304-310
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1x10$^{6}$ 회 이상의 프로그램/소거 반복을 보장하는 Scaled SONOS 플래시메모리의 새로운 프로그래밍 방법
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2002 pp.54-57
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[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.15 No.7 2002 pp.576-582
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고집적화된 1TC SONOS 플래시 메모리에 관한 연구
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2002 pp.26-31
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공통 소스라인을 갖는 SONOS NOR 플래시 메모리의 쓰기 특성
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2002 pp.35-38
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[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2001 pp.17-20
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전하트랩형 NVSM의 게이트 유전막을 위한 질화산화막의 재산화특성에 관한 연구
[Kisti 연계] 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 Vol.11 No.5 2001 pp.224-230
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비휘발성 기억소자를 위한 NO/$N_2O$ 질화산화막과 재산화 질화산화막의 특성에 관한 연구
[Kisti 연계] 한국진공학회 한국진공학회지 Vol.10 No.3 2001 pp.328-334
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[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2001 pp.17-20
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플래시메모리를 위한 Scaled SONOSFET NVSM의 프로그래밍 조건과 특성에 관한 연구
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.13 No.11 2000 pp.914-920
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Scaled SONOSFET를 이용한 NAND형 Flash EEPROM
[Kisti 연계] 대한전기학회 전기학회논문지. The transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers. C/ C, 전기물성·응용부문 Vol.49 No.1 2000 pp.1-7
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Single Junction Charge Pumping 방법을 이용한 전하 트랩형 SONOSFET NVSM 셀의 기억 트랩분포 결정
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.13 No.10 2000 pp.822-827
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플래시메모리를 위한 scaled SONOSFET NVSM 의 프로그래밍 조건과 특성에 관한 연구
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 2000 pp.751-754
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Single Junction Charge Pumping 방법을 이용한 전하 트랩 형 SONOSFET NVSM 셀의 기억 트랩 분포 결정
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 1999 pp.453-456
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전하 트랩 형 비휘발성 기억소자를 위한 재산화 산화질화막 게이트 유전악의 특성에 관한 연구
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 1999 pp.37-40
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인공신경망을 위한 SONOS 기억소자의 시냅스특성에 관한 연구
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.11 No.1 1998 pp.7-11
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Anomalous Subthreshold Characteristics for Charge Trapping NVSM at memory states.
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 1998 pp.13-16
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Scaled SONOSFET를 이용한 NAND형 Flash EEPROM
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 한국전기전자재료학회 학술대회논문집 1998 pp.145-150
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2차 미분 Auger 스펙트럼을 이용한 ONO 초박막의 결합상태에 관한 연구
[Kisti 연계] 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 Vol.11 No.10 1998 pp.778-783
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