간행물 정보
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- 제공처
- 한국과학기술정보연구원
- 발행기관
- 한국전자통신연구원
- 수록기간
- 1981 ~ 2024
- 주제분류
- 공학 > 전자/정보통신공학
Vol.13 No.4 (11건)
[Kisti 연계] 한국전자통신연구원 ETRI journal Vol.13 No.4 1991 p.1
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
누설전류가 작은 $1.3\mum$ GaInAsP/InP 평면매립형 레이저 다이오드
[Kisti 연계] 한국전자통신연구원 ETRI journal Vol.13 No.4 1991 pp.2-9
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
절연막을 이용한 자기정렬 이중 리세스 공정에 의한 전력 MESFET 소자의 제작
[Kisti 연계] 한국전자통신연구원 ETRI journal Vol.13 No.4 1991 pp.10-24
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Structural Stability and the Electronic Structure of InP/GaP Superlattices
[Kisti 연계] 한국전자통신연구원 ETRI journal Vol.13 No.4 1991 pp.25-34
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고집적 GaAs 디지틀 집접회로 제작을 위한 Self-aligned MESFET 공정
[Kisti 연계] 한국전자통신연구원 ETRI journal Vol.13 No.4 1991 pp.35-41
협약을 통해 무료로 제공되는 자료로, 원문이용 방식은 연계기관의 정책을 따르고 있습니다.
III-V 삼상 화합물 반도체의 분자선 결정성장법에서의 열역학적 고찰
[Kisti 연계] 한국전자통신연구원 ETRI journal Vol.13 No.4 1991 pp.42-51
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고속 광통신용 GaInAs/InP PIN 수광소자 모듈 제작
[Kisti 연계] 한국전자통신연구원 ETRI journal Vol.13 No.4 1991 pp.52-57
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고집적회로에서 TiN/Ti Diffusion Barrier의 열처리에 따른 계면반응 및 구조변화에 대한 연구
[Kisti 연계] 한국전자통신연구원 ETRI journal Vol.13 No.4 1991 pp.58-69
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유기금속증착법에 의한 $IN_1-x$$Ga_x$$As_y$$P_1-y$/INP의 성장시 성장변수가 에피층의 전기적, 광학적 특성에 미치는 영향
[Kisti 연계] 한국전자통신연구원 ETRI journal Vol.13 No.4 1991 pp.70-79
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불순물이 심하게 첨가된 InGaP 박막의 Moss-Burstein 효과관측
[Kisti 연계] 한국전자통신연구원 ETRI journal Vol.13 No.4 1991 pp.80-87
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자기정렬 공정에서 텅스텐 두께에 따른 Schottky Barrier의 특성에 관한 연구
[Kisti 연계] 한국전자통신연구원 ETRI journal Vol.13 No.4 1991 pp.88-93
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