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영어

Photolithography is essential in semiconductor manufacturing for defining intricate patterns with high precision, enabling densely packed integrated circuits crucial for modern electronics. Its high resolution ensures the functionality and performance of components, while its repeatability and scalability make it cost-efficient for mass production. This study presents a method to optimize exposure and development times in photolithography, considering target critical dimension and wafer reliability. These optimization techniques can also be applied to other semiconductor processes like etching and deposition, enhancing overall manufacturing efficiency and reliability.

한국어

반도체 소자의 크기가 작아지고 소재가 다양해지면서 식각 공정의 정밀도, 소재 종류에 따른 선택성, 공 정 신뢰성이 더욱 중요해지고 있습니다. 포토리소그래피는 반도체 공정에서 정밀한 패턴을 구현하는 데 핵심 공정 이며, 이는 고밀도 반도체 소자를 가능하게 합니다. 고밀도 반도체 소자는 기능과 성능이 향상되며, 고밀도 반도체 소자 공정은 공정 신뢰성 확보가 중요합니다. 본 연구는 반도체 소자의 목표 임계 치수와 웨이퍼 공정 신뢰성을 고려하여, 광식각 공정의 노출 시간과 현상 시간을 최적화하는 방법을 제시합니다. 이러한 최적화 기술은 에칭 및 증착과 같은 다른 반도체 공정에도 적용되어 전체 공정 효율성과 신뢰성을 향상시킬 수 있습니다.