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영어

As the size of semiconductor devices becomes smaller and more diverse materials are used, the precision of the etching process, selectivity depending on the type of material, and process reliability are becoming more important. In this study, we compared and analyzed the effects of RF Power and O2 on the etch rate of SiO2 material using the Reactive Ion Etching, RIE, system. The key parameters of the etching process can reduce the time and cost, and the productivity and reliability can be improved. The etch rate was varied greatly depending on RF power and O2 flow rate. When the RF power exceeds certain value, the increment of etch rate was getting smaller. Also, the etch rate was saturated when the flow rate of O2 exceeded the certain value.

한국어

반도체 소자의 크기가 작아지고 소재가 다양해지면서 식각 공정의 정밀도, 소재 종류에 따른 선택성, 공 정 신뢰성이 더욱 중요해지고 있습니다. 본 연구에서는 Reactive Ion Etching, RIE, 시스템을 이용하여 RF 전력 과 O2가 SiO2 재료의 식각 속도에 미치는 영향을 비교 분석했습니다. 식각 공정의 핵심 매개변수인 RF 전력과 공급가스의 식각속도와 연관성 분석은 식각공정의 설계 시간과 공정의 비용을 줄이고 생산성과 신뢰성을 향상시 킬 수 있습니다. 실험 결과로 식각 속도는 RF 전력과 O2 유량에 따라 크게 달라졌습니다. 또한, RF 전력이 특정 값을 초과하면 식각 속도의 증가가 상대적으로 줄어들었으며, O2의 유량이 특정 값을 초과하면 식각 속도가 포화 되었고, 그 원인에 대한 분석을 진행하였습니다.