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영어

In this paper, FEM (Front-End Module) MMIC, a key component for the application of the satellite communication terminal transmission and reception module of the multi-phase array structure, was designed and verified as a single chip by designing the Power Amplifier (PA) and the Low Noise Amplifier (LNA). It was manufactured using the GaAs PP10 (100nm) process, a compound semiconductor process from Win-semiconductors, and the operating frequency band of 7.2-10.5GHz operation, output 1W, and noise index of 1.5dB or less were secured using a dedicated test board. The developed FEM MMIC can be used as a single chip, and the components PA and LNA can also be used as each device. The developed device will be used in various applications of Minsu/Gunsu using the X band and the localization of overseas parts.

한국어

본 논문에서는 다중 위상배열 구조의 위성통신단말 송수신모듈 적용을 위한 핵심부품인 FEM(Front-End Module) MMIC를 구성품인 전력증폭기 (PA: Power Amplifier)와 저잡음증폭기 (LNA: Low Noise Amplifier)를 단 일칩으로 설계하여 제작, 검증하였다. Win-semiconductors사의 화합물반도체 공정인 GaAs PP10 (100nm) 공정을 사용하여 제작하였으며, 전용 시험보드를 이용하여 운용 주파수 대역 7.2-10.5GHz 동작, 출력 1W, 잡음지수 1.5dB 이하의 특성을 확보하였다. 개발된 FEM MMIC는 단일칩으로도 활용이 가능하며, 구성품인 PA, LNA도 각각의 소자로 도 활용이 가능하다. 개발된 소자는 해외 부품의 국산화 대체와 X대역을 사용하는 민수/군수의 다양한 응용분야에서 사용될 것이다.