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영어

In this paper, compares and analyzes the influence of first and second etching errors on the occurrence of Hot Spot Ghosts caused by central light and diffraction symmetry, thereby determining the allowable deviation in exposure depth. During the development process of the Low Beam Head Lamp light distribution pattern in accordance with the ECE-R112 standard, the mask exposure etching depth exceeded the allowable limit by more than 116%, resulting in central light brightness above the permissible level. This study was conducted to reduce the occurrence of such non-compliant results. When the allowable deviation for the first exposure depth was set to 120% of the original design brightness, a depth deviation of -0.5% to +4% was observed. When the allowable deviation for the second exposure depth was set to 120% of the original design brightness, a depth deviation of -2% to +10% was observed. The appropriate tolerances identified in this study are expected to contribute to reducing errors in light distribution pattern implementation.

한국어

본 논문에서는 1차, 2차 식각 오차 별 영향치를 각각 중심광과 회절 대칭에 의한 Hot Spot Ghost의 발생 정도로 비교 분석하여 노광 깊이 편차 허용치를 확인하였다. Low Beam(변환빔) Head Lamp ECE-R112 규격의 배광 Pattern을 개발과정 중 Mask 노광 식각 깊이가 허용치보다 116% 이상 식각 되어 중심광이 허용치 이상의 밝기를 나타내었고 이와 같은 부적합 결괏값 발생을 줄이고자 연구를 실시하였다. 1차 노광 깊이 편차 허용치를 원 설계값의 120% 밝기로 설정 시 –0.5%~+4%의 깊이 편차의 발생을 확인하였으며 2차 노광 깊이 편차 허용치를 원 설계값의 120% 밝기로 설정 시 –2%~+10%의 깊이 편차의 발생을 확인하였다. 본 논문에서 확인한 적정 허용치를 통해 배광 Pattern 구현 시 결괏값 오차감소에 기여할 것으로 예상된다.