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W-대역 전력증폭 및 저잡음증폭 MMIC의 국내개발 및 모듈 제작 결과

원문정보

Domestic Development and Module Manufacturing Results of W-band PA and LNA MMIC Chip

김완식, 이주영, 김영곤, 유경덕, 김종필, 서미희, 김소수

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초록

영어

For the purpose of Application to the small radar sensor, the MMIC Chips, which are the core component of the W-band, was designed in Korea according to the characteristics of the transceiver and manufactured by 60nm GaN and 0.1μm GaAs pHEMT process. The output power of PA is 28 dBm at center frequency of W-band and Noise figure is 6.7 dB of switch and LNA MMIC. Output power and Noise figure of MMIC chips developed in domestic was applied to the transmitter and receiver module through W-band waveguide low loss transition structure design and impedance matching to verify the performance after the fabrication are 26.1∼27.7 dBm and 7.85∼10.57 dB including thermal testing, and which are close to the analysis result. As a result, these are judged that the PA and Switch and LNA MMICs can be applied to the small radar sensor.

한국어

소형 레이더 센서에 적용할 목적으로 W-대역의 핵심부품인 전력증폭 MMIC 칩 및 스위치 및 저잡음 증폭 MMIC 통합 칩을 국내설계하고 각각 OMMIC사의 60nm GaN 공정과 Winsemi.사의 0.1μm GaAs pHEMT 공정으로 제작하고 이를 모듈화하였다. 국내개발 MMIC 중에서 W-대역 전력증폭 MMIC는 송신모듈로 제작후 출력 값 27.7 dBm로 측정되었고, 스위치와 저잡음증폭 통합 MMIC는 수신모듈로 제작후 잡음지수는 9.17 dB로 분석 결과와 근사한 측정 결과를 보였다. 또한 온도 시험을 통해서 그 결과를 분석하였는데 송신모듈은 고온에서 상온과 출력에서 1.6 dB 편차를 보였고 수신모듈은 고온과 저온 모두 포함하여 2.7 dB의 편차를 보였으나 상온과 비교하여서는 1.4 dB 상승하 였다. 온도시험까지를 포함하는 결과를 확인한 바와 같이 소형 레이더 센서의 송수신기에 W-대역 국내 개발 MMIC 칩을 적용 가능할 것으로 판단된다.

목차

요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. W-대역 MMIC 칩의 국내개발 결과
Ⅲ. W-대역 모듈 제작 결과
Ⅳ. 실험 및 결과
Ⅴ. 결론
References

저자정보

  • 김완식 Wansik Kim. 정회원, LIG넥스원(주)
  • 이주영 Juyoung Lee. 정회원, LIG넥스원(주)
  • 김영곤 Younggon Kim. 정회원, LIG넥스원(주)
  • 유경덕 Kyungdeok Yu. 정회원, LIG넥스원(주)
  • 김종필 Jongpil Kim. 정회원, LIG넥스원(주)
  • 서미희 Mihui Seo. 비회원, 국방과학연구소
  • 김소수 Sosu Kim. 비회원, 국방과학연구소

참고문헌

자료제공 : 네이버학술정보

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