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영어

In this paper, a 10W GaN MMIC was designed and fabricated using the Ku-band SSPA module. For Design and fabrication of the SSPA module using Rogers(RO4003C) substrate was used for Branch-line structure. SSPA modules on budget Divider/Combiner was designed and fabricated less than the maximum insertion loss – 0.7dB. In addition, because it must be applied to the structural nature of GaN MMIC Gate Bias-Drain Bias circuit was implemented to apply the Gate-Drain sequential circuit, implemented the RF Power Detect, Temperature Detect, HPA On/Off function. Design and fabrication Ku-band SSPA Module got the measurement results that satisfy a maximum output of 15.6W, Gain 45.7dB, 19.0% efficiency.

한국어

본 논문에서는 10W급 GaN MMIC를 이용하여 Ku-band SSPA 모듈을 설계 및 제작하였다. 설계 및 제작한 SSPA 모듈의 분배/합성을 위해 Rogers(RO4003C)기판을 이용하여 Branch-line 구조를 이용하였다. SSPA 모듈 버짓 상 Divider/Combiner는 삽입손실이 최대 -0.7dB 이하로 설계 및 제작하였다. 또한 GaN MMIC 구조 특성상 Gate Bias-Drain Bias로 인가되어야 하기 때문에 Gate-Drain 순차회로를 적용한 Bias 회로를 구현하였으며, RF Power Detect, Temperature Detect, HPA On/Off 기능등을 구현하였다. 설계 제작된 Ku-band SSPA는 최대 출력 15.6W, Gain 45.7dB, 효율 19.0%로 만족하는 측정 결과를 얻었다.