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영어

How, and Why was the catchup happened in the chip war between Japan and Korea that looked like being a David and Goliath contest? This paper tries to answer this question by analyzing the process and factors of ‘the Third Catchup’ as the historical turning point in the ‘War’, focusing on the period from 1987 to 1994. Key point this paper makes is that Japanese firms were overtaken because of ‘disruptive innovation’ not because of entry barriers or diffusion of ASIC paradigm, specific factors in the industry. Once ‘disruptive technology’ becomes accommodated into low-end market and developed through R&D, it leads to the radical outstrip of last producers against leading ones in the industry based on price competitiveness. ‘the Third Catchup’ was possible due to the existence of low-end market. This sub-market enabled Korean firms to overcome the barriers to entry into the semiconductor industry. In product market, starting from the 1988, the Korean corporations entered into residual, low-end market that had many risky factors. But it had been expanded in size by factors such as oligopolistic competition among Japanese firms, Semiconductor Agreement between US and Japan, the rise of exchange rate of the Yen. As a result, Korean firms could shift into high-end market composed of mature and advanced products and expand their market share by raising competitive advantage. On the contrary, Japanese firms were withdrawn from the low-end market before market peak due to oligopolistic competition among them in Japan, this kept on worsening the efficiency of investment and decreasing market share. Korean corporations could be able to catch up Japanese ones owing to 4M DRAM boom from 1993. This, called ‘the Third Catchup’, shows a historical case that great firms were collapsed by last-mover through ‘disruptive innovation.’

한국어

이 논문은 한국과 일본의 반도체 전쟁에서 ‘역전’의 역사적 시발점이었던 ‘제 3의 역전’의 과정과 요인에 대해 분석하였다. 한국 반도체 기업들은 가장 진입 장벽이 높고, 경쟁이 치열했던 메모리 시장에 후발기업으로서 진입하여 매우 빠르게 일본의 선도 기업에 역전할 수 있었다. 이 현상은 진입 장벽의 효과나 ASIC패러다임의 효과로는 설명할 수 없고, 한국이나 반도체산업 내부의 특수한 요인 때문에 나타난 것으로 볼 수도 없다. 이 논문의 핵심적인 주장은 ‘제 3의 역전’은 다른 산업에서 후발 기업이 선발 기업을 추월하는 일반적인 과정과 요인에 근거하고 있으며, 그것은 다름 아닌 ‘파괴적 혁신’을 통한 역전이었다는 것이다. 파괴적 기술이 하위시장에 수용되고 이를 모태로 급격한 기술 개발을 통해 상위시장의 요구를 만족시키게 되면, 강력한 가격 경쟁력을 기반으로 상위시장에 존재해왔던 선도 기업들을 역전하는 현상이 나타난다. 한국의 기업들은 메모리 성숙 제품의 하위시장에 진입을 함으로써 일본 기업들과 경쟁하기 시작했다. 이 시장은 시장의 규모가 작고 제품의 가격도 점감(漸減)하는 특징을 지니고 있으므로 투자 재원을 회수하기가 어렵고 수익성도 악화되기 쉬웠다. 하지만 일본 기업 간 과점적 경쟁구조, 미일 반도체 협정의 효과, 엔화 절상과 같은 요인들 때문에 하위시장의 규모는 확대되었다. 한국의 기업들은 이 시장에 대한 점유율을 늘림으로써 후발 기업으로서의 불리함을 극복하고 ‘파괴적 혁신’의 씨앗을 뿌릴 수 있었다. 한국 기업들은 이후 급격한 기술 능력의 발전을 통해 제품 개발 능력과 양산 능력의 격차를 줄임으로써 성숙 제품이나 첨단 제품의 상위 시장으로 진입하였다. 하위시장을 기반으로 다음 세대의 상위시장에 진입할 수 있는 경쟁력을 강화하는 나선형의 발전 논리가 반복되었다. 반면, 일본 기업들은 과점적 경쟁으로 인해 시장이 정점에 도달하기도 전에 철수하였고, 투자 효율이 악화되었다. 더욱이 엔화절상과 일본 시장의 침체 등과 맞물려 시장점유율을 하락시키고 투자 능력을 악화시키는 악순환에 빠지게 되었다. 한국의 반도체 3사는 1993년부터 지속된 ‘4MD램 대호황’에 힘입어 ‘제 3의 역전’에 성공할 수 있었다. 이 역전은 후발 기업이 선발 기업을 추월하는 ‘로엔드형 파괴적 혁신’의 전형적인 역사적 사례였다.

일본어

この論文では、韓国と日本の半導体戦争において「逆転」の歴史的出発点であった「第3の逆転」が発生した要因とプロセスについて分析した。いわゆる「第3の逆転」と言うのは「破壊的イノベーション」を通じた逆転であったということが、この論文の主な主張である。破壊的技術がサブマーケットに収容され、これを母体とした技術の急激な開発により上位市場のニーズを満足させると、強力な価格競争力をベースに上位市場に存在してきた大手企業を逆転する現象が現れる。韓国の企業は、この市場のシェアを増やすことで、後発企業としての不利を克服し、「破壊的イノベーション」の種をまくことができた。韓国企業は、以後、急激な技術力の進歩により、上位市場に参入した。一方、日本企業は寡占的競争のため、市場が頂点に達する前、すでに撤退し、投資効率の悪化や市場シェアの下落がかみ合うという悪循環に陥ってしまったた。韓国の半導体3社は、1993年から継続されている'4MDRAM大好況'に力づけられて「第3の逆転」に成功することができた。この逆転は、他の産業で後発企業が先発企業を追い越すローエンド型破壊的イノベーションの歴史的事例であった。