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[재료, 물성 및 소자]

복합동시증착 방법을 이용한 In-situ MgB2 박막제조

초록

영어

We obtained in-situ MgBz thin films in an one-step process using ESSD (Evaporation Sputtering Simultaneous Deposition) method. In our approach, the Ma evaporator is designed specially. Mg and B are simultaneously evaporated and sputtered, respectively, in the specially designed ESSD chamber. The background pressure was less than 1 x 10-6 Torr. The substrate temperature was kept at 623 K. The film properties were investigated by both electrical resistivity and PPMS. As a result, typical Tc of films was 11 K.

목차

Abstract
 1. 서론
 2. 실험방법
  2.1 ESSD 장비 소개
  2.2 ESSD 장비 구축
 3. 실험결과 및 논의
  3.1 ESSD 방법으로 MgB2 박막제조
  3.2 MgB2 박막 특성분석 결과 및 논의
 4. 결론
 참고문헌
 저자소개

저자정보

  • 송규정 K. J. Song. 한국전기연구원 초전도재료연구그룹
  • 김호섭 H. S. Kim. 한국전기연구원 초전도재료연구그룹
  • 김태형 T. H. Kim. 한국전기연구원 초전도재료연구그룹
  • 이영석 Y. S. Lee. 한국전기연구원 초전도재료연구그룹
  • 고락길 R. K. Ko. 한국전기연구원 초전도재료연구그룹
  • 하홍수 H. S. Ha. 한국전기연구원 초전도재료연구그룹
  • 하동우 D. W. Ha. 한국전기연구원 초전도재료연구그룹
  • 오상수 S. S. Oh. 한국전기연구원 초전도재료연구그룹
  • 문승현 S. H. Moon. 주식회사 서남
  • 박찬 C. Park. 서울대학교 재료공학부 부교수
  • 유상임 S. I. Yoo. 서울대학교 재료공학부 부교수

참고문헌

자료제공 : 네이버학술정보

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