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영어

Electrostatic Discharge(ESD) protection performance of PPS(PMOS pass structure) embedded N-type silicon controlledrectifier(NSCR_PPS) device with different partial p-well(PPW) structure was discussed for high voltage I/O applications. Aconventional NSCR_PPS standard device shows typical SCR-like characteristics with low on-resistance, low snapbackholding voltage and low thermal breakdown voltage, which may cause latch-up problem during normal operation. However,our proposed NSCR_PPS devices with modified PPW demonstrate the stable ESD protection performance with high latch-upimmunity.

한국어

PPS 구조를 갖는 N형 실리콘 제어 정류기 소자에서 부분웰 구조가 정전기 보호 성능에 미치는 영향을 고찰하였다. 종래의 NSCR표준소자는 온-상태 저항, 스냅백 홀딩 전압 및 열적 브레이크다운 전압이 너무 낮아 정전기 보호소자의 필요조건을 만족시키지못해 적용이 어려웠으나, 본 연구에서 제안하는 부분웰 구조를 갖도록 변형 설계된 NSCR-PPS 소자는 안정한 정전기보호 성능을나타내어 고전압 동작용 마이크로 칩의 정전기보호 소자로 적용 가능함을 확인하였다.