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영어

Inserting a SiO2 layer underneath the p-pad electrode as the current blocking layer (CBL) structure and extending p-metal finger patterns, the GaN LEDs using an indium–tin-oxide (ITO) layer show the improved light output intensity, resulting from better current spreading and reduced light loss on the surface of p-pad metal. The LEDs with an oxide layer of 100 μm-pad-width and 6 μm-finger-width have better light output intensities than those with an oxide layer of 105 μm-pad-width and 12 μm-finger-width. Using the ATLAS device simulator from Silvaco Corporation, the current density distributions on the active layer in CBL LEDs have been investigated.

한국어

GaN LED의 p-패드 금속과 에피층 사이에 SiO2 전류 절연 층을 제작하고, p-전극 금속의 패턴을 핑거 (finger) 형태로 확장하여 형성함으로써, 대면적 고출력 소자에서 전류가 균일하게 퍼지도록 유도함과 동시에 p 패드 금속 표면에서의 광 손실을 줄여 광 출력을 증진시켰다. SiO2 절연 층의 면적과 두께를 다르게 하면서 광 출력의 증가를 비교 확인하였고, 실바코 사의 ATLAS 툴을 이용하여 컴퓨터 시뮬레이션을 실시함으로써 LED 내 활성 층에서 의 전류 밀도 분포를 계산하였다. SiO2 절연 층의 두께가 50 um와 100 um 인 두 경우 모두, p 패드의 직경이 105 um이고 핑거의 폭은 12 um인 경우와 비교할 때, p 패드의 직경이 100 um이고 핑거의 폭이 6 um인 경우가 더 높은 광 출력 특성을 나타냈다.