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영어

We have investigated the electrical properties of AlOx thin film device. The device has been fabricated top-bottom electrode structure and its transport properties are measured in order to study the resistance change. Electrical properties with linear voltage sweep on a electrodes are used to show the variation of resistance of AlOx thin film device. Fabricated AlOx thin film device with MIM structure is changed from a high conductive On-state to a low conductive Off-state by the external linear voltage sweep. It is found that the initial resistance of the AlOx thin film is low-resistance On state and reversible switching occurs. Consequently, we believe AlOx thin film is a promising material for a next-generation nonvolatile memory and other electrical applications.

한국어

AlOx 박막 소자를 제작하여 전기적 특성을 조사하였다. 소자는 Electrode를 Top-bottom구조로 제작하였으며 스위칭 특성을 연구하기 위해 전극간의 AlOx 박막의 전도특성이 측정되었다. 박막소자의 저항변화는 전압을 선형적으로 인가하여 측정하였다. 제작된 소자는 MIM구조로써 외부에서 인가하는 전기적 신호에 의하여 전기전도도가 큰 On-state와 전기전도도가 낮은 Off-state로 바뀌는 특성을 나타내었다. 본 연구에 사용된 AlOx 박막은 초기 저항 상태가 저저항 On 상태였으며, 전압을 인가함에 따라 저저항 On 상태와 고저항 Off 상태의 가역적 저항 변화 특성을 나타내었다. 본 연구를 통하여 AlOx 박막소자는 차세대 비휘발성 메모리로는 물론 다른 전기적 응용도 기대되는 물질임을 확인하게 되었다.