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GaN HEMT를 이용한 광대역 고효율 Class-J 모드 전력증폭기 설계

원문정보

Design of High Efficiency Class-J mode Power Amplifier using GaN HEMT with Broad-band Characteristic

김재덕, 김형종, 신석우, 김상훈, 김보기, 최진주, 김선주

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초록

영어

In this paper, we describe the design and implementation of a high efficiency and broad-band Class-J mode power amplifier using gallium nitride(GaN) high-electron mobility transistor(HEMT). The matching circuit of proposed class-J mode power amplifier for 2nd harmonic impedance designed to provide pure reactance alone. The measurement results show that output power of 40 ± 1 dBm, power-added efficiency of 50%, and drain efficiency of 60% for a continuous wave signal at 1.4 to 2.6 GHz.

한국어

본 논문은 GaN HEMT (Gallium Nitride High Electron Mobility Transistor)를 이용하여 Class-J 모드를 적용한 고효율, 광대역 특성을 갖는 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 제안된 Class-J 모드 전력증폭기의 정합회로는 2차 고조파 임피던스가 리액턴스 성분만 갖도록 하였으며, 1.4 ~ 2.6 GHz 주파수대역내에서 연속파 (CW) 신호를 사용하여 40 ± 1 dBm의 출력 전력과 50 % 이상의 전력부가효율 (Power-Added Efficiency, PAE) 및 60 % 이상의 드레인 효율 (Drain Efficiency, DE)이 측정되었다.

목차

요약
 Abstract
 Ⅰ. 서론
 Ⅱ. Class-J 모드 전력증폭기
 Ⅲ. Class-J 모드 전력증폭기 설계
 Ⅳ. Class-J 모드 전력증폭기 제작 및 측정
 Ⅴ. 결과
 참고문헌

저자정보

  • 김재덕 Jae-Duk Kim. 광운대학교 전파공학과 석사과정
  • 김형종 Hyoung-Jong Kim. 광운대학교 전파공학과 박사과정
  • 신석우 Suk-Woo Shin. 광운대학교 전파공학과 박사과정
  • 김상훈 Sang-Hoon Kim. 광운대학교 전파공학과 석사과정
  • 김보기 Bo-Ki Kim. 광운대학교 전파공학과 석사과정
  • 최진주 Jin-Joo Choi. 광운대학교 전자융합공학과 교수
  • 김선주 Sun-Joo Kim. 국방과학연구소 책임연구원

참고문헌

자료제공 : 네이버학술정보

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