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식각시간 및 식각전류에 따른 다공성 실리콘의 발광 특성에 대한 조사

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Photoluminescence of Porous Silicon According to Various Etching Times and Various Applied Current Densities

한정민

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초록

영어

Photoluminescence properties and surface morphologies of porous silicon etched with various applied current densities at fixed etching times. FE-SEM image of porous silicon surface indicated that the porous silicon prepared at currents below 200 mA exhibited very bright red photoluminescence properties. As the applied current densities increased, the photoluminescence efficiencies of porous silicon prepared at applied current densities above 300 mA decreased, and displayed the cracked surface on porous silicon. This crackεd surface start to collapsed to give cracked domains.

목차

Abstract
 1. 서론
 2. 실험
  2.1. 다공성표면을 만들기 위한 실험 준비
  2.2. 데이터 수집
  2.3. 광학측정기계
 3. 결과 및 고찰
  3.1. 다공상 실리콘의 표면 특성
 4. 결론
 참고문헌

저자정보

  • 한정민 Jungmin Han. 한국화학연구원

참고문헌

자료제공 : 네이버학술정보

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