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영어

In this thesis, in order to a equivalent circuit-analytical study for a symmetric double gate type MOSFET, we slove analytically the 2D Poisson's equation in a a silicon body. To solve the threshold voltage in a symmetric double gate type MOSFET from the derived expression for the surface potential which the two-dimensional potential distribution of a symmetric double gate type MOSFET is assumed approximately. This thesis can use short and long channel in a silicon body we introduce a new the threshold voltage model in a symmetric double gate type MOSFET and measure it the distance about the range of channel length up to 0.1 [㎛].

한국어

본 논문에서는 대칭형 이중 게이트 MOSFET의 회로해석에 대한 등가모델을 제시하고자 해석적 모델을 연구하였다. 본 연구의 해석적 모델에 사용된 방법은 2차원 포아송 방정식의 해를 가정하여 표면 전위 관계식을 유도하여 실리콘 몸체 내의 전위분포를 풀어 드레인 전압 변화에 대한 문턱전압 관계식을 도출하였다. 단채널 및 장채널 실리콘 채널에서 모두 해석이 가능한 해석적 모델을 적용 가능하도록 하기 위해 MOSFET의 채널 길이에 따른 제한된 지수함수를 적용함으로써 수백 나노미터까지 해석이 가능한 대칭형 이중 게이트 MOSFET 해석적 모델을 연구하였다.